富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資
富士電機とデンソーは2024年11月29日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に関する投資および製造連携を行うと発表した。2116億円を投じてSiCパワー半導体の国内における生産能力を強化する計画で、経済産業省が最大705億円を補助する。 両社が共同申請した「半導体の供給確保計画」が同日、経済産業省に認定された。富士電機は松本工場（長野県松本市）の生産能力を強化し、2027年5月からSiCパワー半導体を年間31万枚（8インチウエハー換算）、SiCエピタキシャルウエハーを年間24万枚（同）生産。デンソーは2026年9月から、愛知県幸田町の工場でSiCエピタキシャルウエハーを年間10万枚（同）、三重県いなべ市の工場でSiCウエハーを年間6万枚（同）生産する計画だ。 両社は、「今後、車載分野における両社の製品開発力と生産技術力を生かし、広く国内のSiCパワー半導体の効率的かつ安定的な供給能力拡大に向けて連携していく」と説明している。
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