300mmGaNウエハーに回路形成…パワー半導体大手、世界初の成功
独インフィニオンテクノロジーズが実現
独パワー半導体大手のインフィニオンテクノロジーズは世界で初めて、300ミリメートルの窒化ガリウム（GaN）ウエハーに回路形成することに成功した。半導体ではウエハー口径が大きくなることで、一度に製造できる半導体の数が増え、価格低減につながる。近年、インフィニオンはパワー半導体分野を強化しており、GaNだけでなく、シリコンや炭化ケイ素（SiC）でも製品を揃える。 製造は同社のオーストリア・フィラッハ工場で行った。既存のシリコン向けの300ミリメートルパイロットラインを、GaN向けに転用して実施。シリコンウエハー上に均質なGaN層をエピタキシャル成長させて実現した。今後、需要に応じてGaNの製造能力拡充も検討する。 GaN半導体は電力損失が低く、スイッチング性能も高いため、搭載するデバイスの高効率化・小型化が期待できる。
