ガラス基板に毎秒1000穴の貫通孔形成…半導体チップの実装密度向上、エキシマレーザーで新技術
ギガフォトンと早大が開発
ギガフォトン(栃木県小山市、榎波龍雄社長)と早稲田大学は新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)事業において、エキシマレーザーでガラス基板に効率的に微細穴を開ける技術を開発した。毎秒1000穴の速度で貫通孔を形成できる。半導体の中間基板(インターポーザー)の加工に用いる。半導体チップの実装密度を高められる。 クリプトン・フッ素(KrF)エキシマレーザーを回折光学素子に通して複数の加工点に当てるシステムを開発した。深紫外域の光をビーム形状に整え、回折光学素子で多点加工用に照射点を増やしてガラスを蒸発させる。高品位レーザー光源や光学系、穴加工のメカニズム解明に取り組んだ。 結果として厚さ100マイクロメートル(マイクロは100万分の1)のガラス基板に直径20マイクロメートル以下の微細穴を形成することができた。口径と深さのアスペクト比は5以上になる。生産性は毎秒1000穴と速い。 板厚200マイクロメートルに対応できる見込み。さらに板厚1000マイクロメートル、アスペクト比50以上の微細穴加工を実証する。ガラス製インターポーザーを普及させ、半導体の高性能化や省エネ化につなげる。