メモリー容量2テラビット…キオクシア、第8世代3DNANDで新製品
キオクシアは3日、第8世代3次元（3D）NAND型フラッシュメモリーの新製品のサンプル出荷を始めたと発表した。主力製品の第5世代フラッシュメモリーに比べ、ビット密度を約2・3倍に高め、容量は2テラビット（テラは1兆）。製造は三重県四日市工場で始め、2025年の量産開始を計画する。 【表】東芝の業績詳細 一つのメモリーセルに4ビットのデータ量を保存できる「QLC」という技術を、第8世代フラッシュメモリーで初めて採用。同じ面積でより多くのデータを保存できる。生成人工知能（AI）や大規模データセンターへ展開する。 キオクシアの第8世代NAND型フラッシュメモリーは、別々に製造したロジックとメモリーをウエハーボンディングによって貼り合わせる「CBA」技術を導入済み。3DNANDの性能を高めてきた。
