信越化学工業は3日、窒化ガリウム（GaN）を使う半導体専用の製造基板（ウエハー）の直径を従来比1・5倍の300ミリメートルに大型化し、サンプル供給を始めたと発表した。高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。需要が高まっているデータセンター（DC）で使う次世代半導体などの製造用材料として供給する。状況をみて量産する。 結晶の上に結晶質の薄膜を成長させるエピタキシャル成長の工程を効率化する際、基板を大型化すると、反りやヒビが生じやすかった。これを解決するGaN対応の基板は、従来のシリコン（Si）と同じ生産ラインを使えるため、コスト低減効果も期待できる。従来は直径150ミリメートルと同200ミリメートルを販売していたが、顧客の声に応える形で同300ミリメートルをラインアップに加えた。 信越化学は2019年、「QST基板」という米Qromis（クロミス、カリフォルニア州）が開発したGaN成長専用の複合材料基板のライセンスを取得した。QST基板はGaNと熱膨張係数が同等で、標準のSi基板と同等の基板厚でエピタキシャル層の反りやヒビの抑制が可能。この特徴を生かした大型基板の製品化を続けていた。