（写真：MONOist）

　TI（Texas Instruments）は2024年10月24日、会津工場（福島県会津若松市）でGaN（窒化ガリウム）パワー半導体の生産を開始したと発表した。これまでTIはGaNパワー半導体をダラス工場（米国テキサス州ダラス）で生産してきたが、新たに会津工場が加わることで生産能力は従来比で4倍に増強される。 【TIにおけるGaNパワー半導体の生産イメージ】 　TIは日本国内に会津工場と美浦工場（茨城県美浦村）の2拠点で200mmウエハーの前工程半導体工場を展開している。会津工場は、2010年にスパンションからの買収によってTIの傘下に加わった。 　TIのGaNパワー半導体は、シリコンウエハー上にGaN層を形成する独自のGaN-on-Siプロセスを特徴とする。信頼性テストで8000万時間以上の長さのテストをクリアする信頼性や、統合された各種保護機能により安全性を維持できる電圧システムの設計技術なども強みだ。GaNパワー半導体の技術課題である高電圧対応でも、900Vを最初の目標に設定し、その後段階的により高い電圧へと引き上げていく方針である。 　TIは今後もGaNパワー半導体の生産能力を拡張する方針。2030年までにGaNパワー半導体製品に関する前工程の内製比率は95％以上に達する見込みだ。また、現時点でTIのGaNパワー半導体の製造プロセスでは200mmウエハーを用いているが、2023年初に300mmウエハーを用いたプロセス開発の試験運用に成功した。これにより、今後はGaNパワー半導体の300mmウエハーによる生産への移行も視野に入ることになる。