電力変換効率20％向上、GaN面発光レーザーで実現
名城大学の竹内哲也教授らは、窒化ガリウム（GaN）面発光レーザーの電力変換効率を20％に向上させた。光の共振が起きるGaN層を、成長させながら厚みを計る手法を開発した。膜厚を高精度に制御し発光効率が向上した。仮想現実（VR）端末や医療機器などへの応用を目指す。 GaN層の結晶成長中に共振波長を計測して膜厚を管理する。従来は別の実験で成長速度を確かめてから結晶成長していた。成長中に計ることで膜厚の制御精度が向上した。直径8マイクロメートル（マイクロは100万分の1）の素子では設計波長と実測値の差異が0・1％と小さく、高精度に素子を作れた。 さらに発光層の下地の改善などを重ねると、直径5マイクロメートルの素子では電力変換効率が20％を超えた。10ミリワット以上の出力を確保した。従来の変換効率は10％台にとどまっていた。膜厚管理技術は面発光レーザーの生産性向上につながる。
