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検索結果

8件
  1. パワー半導体にSiC採用、三菱電機が電動車用モジュール強化の一手
    …ラトランジスタ（RC―IGBT）のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を採用している。 SiC搭載を前提に、冷却器との…
    ニュースイッチ産業
  2. USB充電器は「GaN」がおすすめ。どんなメリットがある？
    …のか、理解しておきたいものです。 USB充電器においてGaNは、電界効果トランジスタ（FET）の素材として使用されています。従来、ACアダプタにおける…
    PHILE WEBIT総合
  3. パワー半導体モジュールを60％小型化、三菱電機がサンプル提供
    …シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素（SiC）の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を搭載した製品も用意した。豊富な製品を用意し、xE…
    ニュースイッチ産業
  4. SiCパワー半導体競争激化…業界注目・ロームの戦略は？
    …の製造技術だ。同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハ…
    ニュースイッチ産業
  5. 「子連れ鉄道旅」が誰にでも快適であるために　専用車両や幼児マークは実現できるか
    …車に搭載された。主変換装置に内蔵のMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)またはIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)といった半導体…
    梅原淳社会
  6. SiCやGaNは次世代半導体ではない
    …、GaAsでは0.25µmしか使えなかった。MOSやMISなどの電界効果トランジスタ（FET）が微細化できなければ性能は上がらず消費電力は改善されない…
    津田建二IT総合
  7. TSMCが使う最先端のFinFET技術は日本人の発明
    …ETの概念図　出典：久本大氏、日立製作所　FinFETのFETは電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor）の略で、入力に電…
    津田建二産業
  8. iPhone 6Sのテクノロジー
    …ることはほぼ間違いない。FinFET技術はトランジスタ（FET：電界効果トランジスタという）を微細にして性能を上げてもリーク電流が少なく、待機時（スマ…
    津田建二製品

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