SiCパワー半導体競争激化…業界注目・ロームの戦略は?
世界的な脱炭素化の流れを追い風に市場が急拡大し、国内外の半導体メーカーが相次ぎ増産投資に踏み切る炭化ケイ素(SiC)パワー半導体。SiC国内シェア首位のロームも大規模投資を計画する。そんな同社が競合に対して優位性を持つのがSiCウエハーの製造技術。2024年内の稼働を目指す新工場(宮崎県国富町)では、同社として初のSiCウエハーの国内生産に乗り出す。同社の戦略に業界が注目している。(京都・小野太雅) 【写真】ロームが手がけるSiCウエハー 「ロームはこれからどう動く?」(半導体メーカー大手幹部)。 日本産業パートナーズ(JIP)と国内企業連合が約2兆円を投じた東芝株のTOB(株式公開買い付け)に参画し、3000億円拠出。出光興産子会社から同社の旧国富工場(宮崎県国富町)を取得し、200ミリメートルSiCウエハーに対応した半導体新工場として3000億円規模の投資を計画―。ここ最近、ロームの積極的な投資姿勢に半導体業界の注目が集まっている。 同社の主力事業であるパワー・アナログ半導体市場は、自動車や産業機器の電装化・電動化により市場が拡大している。中でも成長著しいのはSiC半導体だ。一般的なシリコン製半導体より電力効率に優れた特性を持つことから、電気自動車(EV)向けの需要が増えている。 ロームはSiC半導体の増産に向けて21年度から27年度の7年間で約5100億円を投じる計画。25年度までにSiC半導体の売上高を従来計画比約18%増の1300億円超に引き上げ、世界トップシェア30%を獲得。27年度には22年度比約9倍となる売上高2700億円超を目指している。 ただ、同市場では競合も大規模投資を計画する。国内では三菱電機が約1000億円を投じて、200ミリメートルウエハーに対応した新工場棟を26年に熊本県で稼働させる計画。海外では、米ウルフスピードやスイスのSTマイクロエレクトロニクス、独インフィニオン・テクノロジーズも投資を拡大中だ。