台湾デルタ電子に供給

ローム

ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75％高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り組む。 【写真】ロームのGaN半導体デバイス ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4　Duo」に採用された。スマートフォンやノートパソコンへの充電用途を想定する。同トランジスタはESD保護素子を内蔵。デルタ電子は今後、他のアダプター製品にもロームのGaNデバイス採用を検討している。 GaN半導体はシリコン半導体と比べ耐電圧性能が高いことが特徴で、実装機器の省エネルギー化や小型化に貢献する次世代パワー半導体として注目される。高速スイッチング性能も高く、電力供給や、電圧、周波数の変換用半導体として、サーバー電源のほか電動車（xEV）のオンボード・チャージャー（OBC）向けでの需要が見込まれる。