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パワー半導体にSiC採用、三菱電機が電動車用モジュール強化の一手…C―IGBT）のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を採用している。 SiC搭載を前提に、冷却器とのハンダ接合を実現し…ニュースイッチ産業
USB充電器は「GaN」がおすすめ。どんなメリットがある？…を電力に変換する役割のパワーデバイスには、シリコン素材をベースとするMOSFETが利用されてきましたが、素材をGaNに置き換えた「GaNFET」にする…PHILE WEBIT総合
110km/hのキックボードと140km/hの一輪車ってヤバすぎるだろ！ 中国人の発想がもはやエクストリーム!!…S8（およそ8sqrと、このクラスとしては極太）だったり、電源管理のmosfetはなんと42個も搭載するなど、重電メーカー並みの設計、完成度と呼んで差…WEB CARTOP産業
パワー半導体モジュールを60％小型化、三菱電機がサンプル提供…シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素（SiC）の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を搭載した製品も用意した。豊富な製品を用意し、xEV用インバーターの…ニュースイッチ産業
[バイクメンテナンス実践] 旧車KZ900LTDに“リチウムフェライト”バッテリーを搭載してみた…が推奨範囲は超えているので、実走行で電圧をチェックした上で必要ならばMOSFETレギュレートレクチファイアへの交換も検討したい。 リチウムバッテリーに…WEBヤングマシン産業
Chord Electronics、フルバランス構成のコンパクトパワーアンプ「BerTTi」…シングルエンド接続にも対応する。電源部には本モデル用のカスタムメイドMOSFETを搭載。高周波電源の改良と追加された補助電源レールにより、オーディオ再…PHILE WEB製品
量子力学を応用した新型メモリ、DRAMより速くフラッシュ並みの不揮発性…にはじめて量子効果であるトンネリングするという新しい原理で動作する。MOSFETのチャンネルと浮遊ゲートとの間に量子井戸を2つ作り、制御ゲート電極のバ…津田建二IT総合
SiCパワー半導体の量産時代が幕開け…ったもののまだシリコンの数倍と高い。それでもシリコンIGBTと比べ、MOSFET動作ができるため、高速スイッチング動作が可能である。つまりパワーシステ…津田建二IT総合
現代版「荒野の7人（Magnificent Seven）」とは…新できるシステムを導入している。さらにインバータには高耐圧のSiC MOSFETを採用して急速充電にも対応できる半導体を使った。Nvidiaはファブレ…津田建二IT総合
「子連れ鉄道旅」が誰にでも快適であるために 専用車両や幼児マークは実現できるか…・5・7～10・12・13・15号車に搭載された。主変換装置に内蔵のMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)またはIGBT(絶縁ゲートバイ…梅原淳社会
ソニーを飛び出し高耐圧GaN半導体でEVや再エネ市場を狙う…なり使いにくかった。しかし、GaNトランジスタを使いやすくするため、MOSFETをGaNトランジスタのソース側にカスコード接続してゲート電圧がゼロでも…津田建二IT総合
TSMCが使う最先端のFinFET技術は日本人の発明…（IC）の基本トランジスタであるMOSFETの変形であり（図1）、性能や消費電力の点で、従来のプレーナ型MOSFETよりも優れたトランジスタだ。集積化…津田建二産業- シリコンバレーの名物論客T.JがCEO辞任…た。VMOSの商用化を目指したが、当時はプレーナ技術ではないV字型のMOSFETの歩留まりがどうにも上がらず、1980年にAMIとしてVMOS技術を断念し、T…津田建二IT総合
- ユーザーエクスペリエンスが重要な時代を生きる方法…る。CMOS半導体を見ると、製品に使われる最先端プロセスは20nm。MOSFETのゲート長、ゲート幅を20nmとすると、チャンネル内表面には、20nm…津田建二産業
富士通が撤退する半導体になぜIBMが30億ドル投資するのか津田建二産業- 次世代半導体、14/16nm FinFETか20nmFD SOIか…め、3方向から空乏層でパンチスルーさせた構造を持つ。従来のプレーナ型MOSFETでは、空乏層はゲートから伸びるだけの1方向しかなかったため、十分に閉じ…津田建二製品
