インフィニオン、世界初の300mmパワーGaNウエハー技術の開発に成功
インフィニオンの300mmパワーGaNウエハー
インフィニオン テクノロジーズは9月11日、世界初の300mmパワー窒化ガリウム（GaN）ウエハー技術の開発に成功した、と発表した。 インフィニオンは、世界で初めて、この画期的な技術を既存の拡張可能な大量製造環境で開発した。この技術は、GaNベースのパワー半導体市場を大きく牽引するもの。300mmウエハーでのチップ製造は、ウエハー口径が大きくなることでウエハー1枚あたり2.3倍のチップが製造でき、200mmウエハーに比べて技術的に高度であり、効率も大幅に向上するという。
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レスポンス 森脇稔
