8インチSiC基板、レゾナックと共同開発する仏社の技術力
レゾナックは仏ソイテックとパワー半導体向け直径8インチ（200ミリメートル）炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウエハーの材料となる、8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発する。レゾナックの高い品質のSiC単結晶基板とソイテックの基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、生産性などを高める。実用化時期などは今後詰める。 【写真】レゾナックのSiCエピウエハー レゾナックがSiC単結晶をソイテックに供給し、ソイテックがSiC貼り合わせ基板を製造する。レゾナックがニーズに応じて同基板にエピ層を形成することも可能。8インチSiCエピウエハーのサプライチェーン（供給網）の多様化につなげる。 レゾナックはSiC単結晶基板にエピ層を成長させたSiCエピウエハーを手がける。世界最高水準の品質が強みで、外販メーカーでは世界トップシェアと推定される。8インチの大口径化を進めており、サンプル出荷を開始している。 ソイテックの貼り合わせ基板技術は生産性向上とともに、SiCウエハー製造時の二酸化炭素（CO2）排出量を最大70％削減できる点も特徴。ソイテックは東海カーボンが貼り合わせSiC基板に使われる多結晶SiCウエハーを供給する戦略提携も結んでいる。
