デンソーと富士電機がパワー半導体事業で協業する。両社は2116億円を投じ、車載向けなどに需要の拡大が見込まれる炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の国内での生産体制を強化する。経済産業省も最大で705億円を補助する。両社の開発力と生産技術を合わせることで安定的な供給体制を構築するとともに、シェアの高い独インフィニオン・テクノロジーズやスイスのSTマイクロエレクトロニクスといった海外大手に対抗していく。 投資計画では、デンソーの大安製作所（三重県いなべ市）でSiCウエハー、幸田製作所（愛知県幸田町）でウエハー上にエピタキシャル層を形成したSiCエピウエハーをそれぞれ生産。富士電機の半導体製造の拠点である松本工場（長野県松本市）でSiCパワー半導体を2027年5月から量産する。 デンソーはこれまでウエハーからインバーターまでSiC技術を総合的に開発してきた。富士電機の生産技術と融合することで、安定的かつ効率的なSiCパワー半導体の生産体制の構築を目指す。 既存のシリコン（Si）パワー半導体よりも性能の高いSiCパワー半導体は、車載や産業用途などで世界的に需要が高まると見込まれる。一方で多額の投資が必要なことから、海外大手よりも事業規模の小さい日本企業にとって負担になっていた。