明星大学連携研究センターの須賀唯知主幹研究員、王俊沙主任研究員らのグループは、大阪大学、IIPT（東京都三鷹市）と共同で、ダイヤモンドの大口径基板を表面粗さ0・5ナノメートル（ナノは10億分の1）以下の平滑面に加工することに成功した。窒化ガリウムウエハーや圧電単結晶ウエハーなどの異種半導体ウエハーと常温で接合できる。電気自動車（EV）や高速通信に使われるパワー半導体デバイスの高出力化に寄与する。 須賀研究員らは、新開発のプラズマ援用研磨とガスクラスターイオンビーム加工を組み合わせ、2インチのダイヤモンドウエハーを高い効率で平滑化加工した。その結果、異種半導体ウエハーとの常温接合が可能になった。 常温で接合するためには接合面を平らに加工する必要がある。だが、物質の中で最も硬度の高いダイヤモンドは研磨が難しく、大面積のウエハーで効率良く加工することが難しかった。そのため、ダイヤモンドと窒化ガリウムとの接合はこれまで、数ミリメートルサイズの小片の接合にとどまっていた。