合意書締結を記念し、撮影に応じるルネサスのインド事業責任者、ナラヤナムーシー氏（左）とＩＩＴハイデラ校のムルティ学長（ルネサス提供）

　半導体製造大手のルネサスエレクトロニクスは５日、今後３年間の産学連携について、国立インド工科大学（ＩＩＴ）ハイデラバード校（ＩＩＴＨ）と基本合意書を結んだと発表した。 　ルネサスによると、合意書は、ルネサスとハイデラ校間の研究開発や学術交流に重点を置く。締結により、ハイデラ校はインド半導体産業に貢献する人材育成が可能になる。学生は最先端の半導体製品に実際に触れ、ルネサスのエンジニアから直接学ぶ機会を持てる。ルネサスはハイデラ校との連携を通じ、優秀な人材獲得に期待を寄せる。 　ルネサスは今年から、授業カリキュラム開発やルネサスの開発用基板を使った学習、研究室実習を支援する。工学部の学生に向け、６カ月間のインターンシップや正規雇用への応募機会も提供する。 　合意書の締結日は３日。同日に南部テランガナ州のハイデラ校で調印式が開かれ、ルネサスのインド事業責任者、マリニ・ナラヤナムーシー氏やハイデラ校のＢ．Ｓ．ムルティ学長が参加した。