膨大な研究開発費投じて『エピのレシピ』を極めた

　Infineonが手掛けるのは、シリコンウエハー上にGaNをエピタキシャル成長させたGaN on シリコン技術だ。GaNとシリコンとでは格子定数および熱膨張係数が大きく異なるため応力が生じ、ウエハーに反りが生じるなどの課題がある。そしてこの課題はウエハーサイズが大きくなるほど深刻になる。White氏は、「シリコン基板上に均質なGaNのエピ層を形成するのは非常に困難だ」と説明。「300mm GaNウエハーでは、1セントコインの上に、それぞれが5トンの重さのゾウが4頭乗っている場合に匹敵する応力を管理する必要がある」とその難易度の高さを表現していた。 　今回、同社はこの課題を克服し、300mm ウエハー上でのGaN層の成長を実現したとしている。なお、具体的な技術については「非常に重要な差別化要素だ」として明かさなかったが、White氏は、「300mmシリコンウエハーについては業界内で成熟したものだが、Infineonは300mm薄型ウエハー技術のパイオニアであり、これは当社のDNAの一部といえる。その後、長年にわたり膨大な研究開発費を投じてエピの『レシピ』を極めるため努力してきた」と説明。また「GaN on シリコンにおけるエピは非常に困難だが、当社はエピの他、アプリケーション、製品などに関する350件以上の特許ファミリーを構築してきた」とも強調した。 　なお、300mm GaNウエハーでの量産時期などについては言及しなかったが、2025年第4四半期にもサンプル提供を開始する予定だと明かした。生産規模や投資計画についても具体的には語らなかったが、White氏は「フィラッハ工場には柔軟性がある。現在既に必要な規模は確保しているが、さらに必要になった場合も対応可能だ。かつて300mmシリコンウエハーの際は、需要動向に応じて能力を拡大していった。GaNについても同様だ」と説明していた。