Infineonのパワー＆センサーシステムズ（PSS）事業部プレジデントを務めるAdam White氏

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2024年9月17日（ドイツ時間）、ドイツ・ノイビーベルクの本社において専門メディア向けの説明会を実施。パワー＆センサーシステムズ（PSS）事業部プレジデントを務めるAdam White氏が、最近発表した300mm GaN（窒化ガリウム）ウエハー技術の概要を語った。 Infineonが開発した300mm GaNウエハー

シリコン並みのコストパリティ実現へ

　Infineonは2024年9月11日、「世界初」（同社）となる300mmのGaNウエハー技術を開発したと発表した。 　White氏は、「300mm GaNウエハー技術は非常に大きな意味をもつ。なぜなら、これによって規模の経済へ移行する転換点を迎え、最終的にはGaNがシリコンと同等のコストパリティを実現できると確信しているからだ」と強調。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり約2.3倍のチップが製造可能となり、費用対効果が高まる。フルスケールでの300mm GaNウエハー生産では、オン抵抗レベルでシリコンと同等のコストパリティが実現可能だという。 　最先端の300mm製造プロセスによるデバイス性能の向上によって「効率性能、小型化、軽量化、総コストの低減など、最終顧客のシステムにおいても大きなメリットがある」としている。 　同社は、オーストリア・フィラッハ工場にある、既存300mmシリコンウエハー製造ラインに統合したパイロットラインで、300mm GaNウエハー生産に成功。今後、市場のニーズに応じ、同工場において300mm GaNウエハーでのパワーデバイス生産を商業化していく方針だという。White氏は「既存のフットプリントを使用しているという点だけでも、大きな差別化要素になる」と強調。既存インフラの活用によって資本効率を最大化し、GaN技術の実装を加速する。将来的に市場の需要に応じて迅速に生産能力を増強することも可能だとしている。