トッパンフォトマスク（東京都港区、二ノ宮照雄社長）は7日、米IBMと極端紫外線（EUV）リソグラフィーを使用した2ナノメートル（ナノは10億分の1）ロジック半導体製造技術対応のフォトマスク（半導体回路の原版）に関する共同研究開発契約を結んだと発表した。開発期間は2月からの5年間。次世代半導体向け高NA（開口数）EUVを含む。2ナノメートルノード以細の半導体量産に向けたソリューションの提供を目指す。 米IBMの最先端半導体研究開発拠点であるアルバニー・ナノテク・コンプレックス（ニューヨーク州）とトッパンフォトマスクの朝霞工場（埼玉県新座市）でフォトマスクを共同開発する。 2ナノメートルノード以細の半導体の量産には、従来主流だったフッ化アルゴン（ArF）エキシマレーザーを光源とする露光技術を超える高度な材料選択とプロセス制御の知識が必要になる。フォトマスクの外販事業者として世界トップ級のシェアを握るトッパンフォトマスクと米IBMの知見を融合する。 両社は45ナノメートルノードを皮切りに32ナノメートル、14ナノメートルといった各世代の先端半導体用フォトマスクや、初期段階のEUVフォトマスクの研究開発を2005―15年にかけて共同で推進していた。