（写真：EE Times Japan）

　onsemiは2024年12月9日（米国時間）、Qorvoから子会社United Silicon Carbide（UnitedSiC）を含むSiC（炭化ケイ素） JFET事業を買収する契約を締結したと発表した。買収額は1億1500万米ドルで、2025年第1四半期に完了する予定だ。同技術の取得によって、AI（人工知能）／データセンターや自動車市場などでの成長加速を狙う。 SiC JFETの特長について［クリックで拡大］ 出所：onsemi 　Qorvoは2021年11月、UnitedSiCの買収を発表。UnitedSiCは、Qorvoのパワーデバイスソリューションズ部門として事業を行ってる。onsemiは、今回の買収について「onsemiの広範な『EliteSiC』電源ポートフォリオを補完し、AIデータセンター向け電源装置のAC-DCステージにおける、高いエネルギー効率と電力密度のニーズへの対応を可能にする。さらに、EV（電気自動車）用バッテリー遮断やソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）といった新市場への当社の対応を加速させる」と述べている。

低いオン抵抗×面積が特長

　SiC JFETは、チップ面積当たりのオン抵抗が低い点が特長で、onsemiは、「特定のアプリケーションにおいて半導体技術の中で最も高い効率を実現する」と説明。また、従来シリコンベースのトランジスタで使用されてきた一般的な市販のドライバーも使用でき、開発の迅速化、エネルギー消費の削減、システムコストの低減を実現。「電源設計者やデータセンター事業者に大きな価値をもたらす」としている。一方で、JFETは容易に並列化できないため、トラクションインバーターのような大電力アプリケーションでは使用されない。 　SiC JFETは低オン抵抗で、高速スイッチングが可能なことから、AI／データセンターラック用電源の小型化および高効率化を実現できる。上述のようにダイサイズが小さく既存のドライバーを使用できることから、高効率かつシステム全体のコストを抑えられ、「SiC JFETはシリコンスーパージャンクションMOSFETにとって代わり、GaN（窒化ガリウム）と競合することが期待されている」という。 　またEV用バッテリー遮断ユニット（BDU）向けでも、onsemiは「SiC JFETは、電気機械的なソリューションよりも高速で安全かつ信頼性が高く、全ての高電圧半導体技術の中でオン抵抗が最も低いため、最高の効率を提供する」などと利点を挙げている。 　onsemiのパワーソリューショングループでグループプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるSimon Keeton氏は、「AIのワークロードがより複雑化し、エネルギーを大量に消費するようになるに従い、高いエネルギー効率を実現し、高電圧に対応可能な信頼性の高いSiC JFETの重要性はますます高まるだろう。QorvoのSiC JFET技術が加わることで、当社のインテリジェントパワーポートフォリオは、エネルギー消費を最適化し電力密度を高める新たなソリューションを顧客に提供する」と強調している。