「世界初」321層NAND型フラッシュメモリを量産、SK hynix
SK hynixは2024年11月21日（韓国時間）、「世界初」（同社）となる321層のNAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。TLC方式（3ビット/セル方式）で、容量は1Tビット。2025年上期に顧客へ供給予定だ。 同製品は、前世代と比較しデータ転送速度が12％、読み出し性能が13％、データ読み出しの電力効率が10％以上、それぞれ向上しているという。SK hynixは、「低消費電力と高性能を必要とする初期のAI（人工知能）アプリケーションに対し321層品を提供することで、製品用途を着実に拡大していく計画だ」としている。 SK hynixは2023年6月にも、238層NANDを「業界で初めて」（同社）量産開始している。今回の発表について同社は「積層技術のブレークスルーを達成し、300層以上のNANDを量産する世界初のサプライヤーになった」と強調している。 300層以上の積層は、同社がメモリセルスタックを3つにする、「3プラグ」プロセス技術の採用に成功したことで実現したという。同社は「優れた生産効率で知られるこのプロセスは、3回のプラグ工程終了後、最適化されたフォローアップ工程を経て、3つのプラグを電気的に接続する。このプロセスでは、当社は低応力材料を開発し、プラグ間の位置合わせを自動で修正する技術を導入した」と説明している。238層NANDと同じ開発プラットフォームを採用し、プロセス切り替えによる影響を最小限に抑え、生産性も従来比59％向上したという。 SK hynixのNAND開発責任者であるJungdal Choi氏は今回の製品によって、同社がAIデータセンターおよび、オンデバイスAI向けSSDに代表されるAIストレージ市場のけん引役に一歩近づいたとする。「当社は、HBM（広帯域メモリ）が主導するDRAM事業の上に、超高性能NAND分野の完璧なポートフォリオを追加することで、フルスタックAIメモリプロバイダーへと前進する軌道に乗っている」（Choi氏）
EE Times Japan
