裁判所のロゴ（資料写真）＝（聯合ニュース）

【ソウル聯合ニュース】韓国のソウル高裁は18日、半導体大手のSKハイニックスの技術を中国に流出させたなどとして産業技術保護法違反・不正競争防止法違反（営業秘密の国外漏洩など）の罪に問われた協力会社の副社長に対し、懲役1年6か月を言い渡した。一審判決は懲役1年だった。 　また、一審で執行猶予とされた他の社員3人にも懲役1年～1年6か月の実刑判決が言い渡された。協力会社の法人に対しては一審の罰金4億ウォン（約4370万円）より重い罰金10億ウォンとした。　 　刑が重くなったのは、SKハイニックスと共同開発した技術情報を他の企業に渡したことを一審は無罪としたが、控訴審は有罪と判断したためだ。 　高裁は「被告人の犯行は被害を受けた企業だけでなく韓国の産業全般に大きな影響を及ぼした」とし、副社長は最終決定権者として犯行を主導し、深く関与したと指摘した。 　判決によると、被告らはSKハイニックスと協業する中で知り得たHKMG半導体製造技術や洗浄方法など、先端技術や営業秘密を2018年ごろから中国の競合企業に流出させた。 　HKMGは、漏電を防ぎ静電容量を改善した次世代工程で、DRAM半導体の速度を高めながら消費電力を減らすことができる新技術だ。 　被告らはこのほか、サムスン電子と子会社の元社員から入手した図面などを利用して中国輸出用の装置・設備を開発した罪にも問われた。