ＳＫハイニックスの世界最高層３２１層１Ｔｂ　ＴＣＬ　４ＤＮＡＮＤ　［写真　ＳＫハイニックス］

ＤＲＡＭと共にメモリー半導体市場のもう一つの軸であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでもＳＫハイニックスが攻勢をかけた。 ＳＫハイニックスは２１日、世界最高層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー、３２１層１Ｔｂ（テラビット）ＴＬＣの量産に入ったと明らかにした。ＳＫハイニックスは「昨年６月に直前世代最高層ＮＡＮＤの２３８層製品を量産して市場に供給し、今回は３００層を超えるＮＡＮＤを最初に出して技術の限界を突破した」とし「来年上半期から３２１層製品を顧客に供給する」と明らかにした。 半導体業界ではＳＫハイニックスが業界の予想より早く３２１層ＮＡＮＤの量産を開始した点に注目している。ＤＲＡＭに続いてＮＡＮＤでもＳＫハイニックスが人工知能（ＡＩ）市場に迅速に対応する動きだ。ＳＫハイニックスは「３プラグ（Ｐｌｕｇ）」工程を導入して積層の限界を克服したと明らかにした。３回に分けて工程を進めた後、全体のＮＡＮＤを積み重ねて連結する方式だ。 ３２１層製品は従来の世代に比べてデータ伝送速度は１２％、読み取り性能は１３％向上した。人工知能（ＡＩ）市場が爆発的に拡大してビッグテック企業のサーバー構築が増え、ＤＲＡＭはもちろん低電力高性能高容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの需要も高まる傾向だ。ＳＫハイニックスの崔正達（チェ・ジョンダル）ＮＡＮＤ開発担当（副社長）は「高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）に代表されるＤＲＡＭはもちろんＮＡＮＤでも超高性能メモリーポートフォリオを完ぺきに備えたフルスタック（Ｆｕｌｌ　Ｓｔａｃｋ）ＡＩメモリー供給者に飛躍したい」と話した。 ＤＲＡＭを積み重ねて作るＨＢＭが最近１２層を超えて１６層・２０層競争に入ったように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーもＡＩ時代を迎えて超高層戦争に火がついた。ＮＡＮＤはデータを入れるセルを垂直に積層して保存容量を増やす技術が核心だ。高層アパートを建てればより多くの人を収容できるように、ＮＡＮＤも高層であるほど多くのデータを保存できる。 サムスン電子がＮＡＮＤ市場で圧倒的な優位を守ってきたが、最近はＳＫハイニックスと米国マイクロン、日本キオクシアが相次いで２００層以上のＮＡＮＤを開発・量産し、超高層戦争が激しくなっている。最近では中国ＹＭＴＣ（長江メモリ）までが２００層以上の技術レベルに到達し、競争が激化する傾向にある。 サムスン電子は早ければ来年、先端パッケージング工程のハイブリッドボンディングを適用した４００層以上のＮＡＮＤを開発し、ライバル企業の追撃をかわす戦略という。半導体業界では２０３５年までに１０００層ＮＡＮＤ時代が開かれる可能性もあるとみている。