インフィニオン、世界初300mmウエハー開発に成功 GaNパワー半導体の低コスト化へ(日刊自動車新聞)インフィニオン、世界初300mmウエハー開発に成功 GaNパワー半導体の低コスト化へ【関連記事】インフィニオン、EV向け次世代SiCパワー半導体をマレーシアで生産開始 GaN量産も視野TSMC、ドイツ工場で起工式 欧州初の製造拠点 2027年稼働 アジア中心の供給網見直し豊田合成、大阪大学や三菱ケミカルとGaNパワー半導体開発 2025年に6インチウエハー提供目指すルネサスエレクトロニクス、GaNパワー半導体の米国トランスフォーム社の買収を完了〈ニュースの底流〉ASRAの思惑とは ライバル同士の連携で車載半導体の主導権奪還へ