Yahoo!ニュース

IDでもっと便利に新規取得

ログイン

メモリ“超格差”狙うサムスン、NAND型フラッシュにも7千億円投資

配信

  • この記事についてツイート
  • この記事についてシェア
ハンギョレ新聞

平沢2ラインに施設構築へ ファウンドリ投資計画から10日ぶり 「下半期経済政策」に合わせ発表 “非対面経済”活性化の状況反映

 新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の拡散で韓国のほとんどの大企業が現金確保に奔走している中、サムスン電子は連日大規模投資計画を発表している。ライバル企業らが投資財源調達のために戦々恐々とする時に、一歩先に立った投資により製品競争力を育て、市場を先導する布石と見られる。特に今回の投資計画発表は、マイナス成長率防御のために政府が積極的財政投資案を明らかにした日に行われ、注目を集めている。  サムスン電子は1日、京畿道平沢(ピョンテク)事業場の2ラインにNAND型フラッシュメモリ生産のためのクリーンルーム工事に着手したと明らかにした。会社側は、全体の投資規模は公開しなかった。業界では、今回の工事に総額8兆ウォン(約7千億円)前後の資金が必要と見ている。来年上半期に工事が完了し、下半期から製品が量産される。NAND型フラッシュは、コンピューターやモバイル保存装置のSSDなどに使われる半導体メモリだ。サムスン電子のチェ・チョル副社長(メモリ事業部)は「メモリ超格差を一層拡大するための努力」だと明らかにした。  今回増設される生産ラインでは6世代V-NAND製品が作られる。6世代V-NANDは、昨年7月にサムスン電子が世界で初めて量産に成功した世界最先端技術の集積体だ。今回の投資決定によりサムスン電子のNAND型フラッシュは、中国の西安事業場で5世代を、さらに技術が進歩した6世代は平沢事業場で生産される二元構造になると見られる。  特に今回の投資決定には、COVID-19の拡散により非対面経済が活性化し、NAND型フラッシュなど半導体メモリの需要が増加している状況が反映されている。未来アセット大宇のアナリストのキム・ヨンゴン氏は、5月13日に発表した報告書で「5Gスマートフォンが普及して、カメラの仕様が高度化し、大容量コンテンツの流通で今後128GB以上(のNAND型フラッシュ)搭載比率が高まるだろう」と展望した。  これに先立ってサムスン電子は、先月21日には非メモリ事業の一軸であるファウンドリ事業を拡大するために10兆ウォン(約8800億円)規模(業界推算)の投資を実施すると明らかにした。大規模投資計画を発表してから10日後に、再び投資計画を発表したわけだ。特にこの日の投資発表は、政府がCOVID-19対応に関連し「下半期経済政策方向」と3次追加補正予算案を議論するための大統領主宰の非常経済会議が開かれた日になされた。民間領域の投資拡大のニュースを渇望していた政府と歩調を合わせる姿を演出したのだ。  サムスン電子の最近の投資発表は、サムスン電子との利害関係を強く持つ米中間の軋轢が尖鋭化する局面で出された点も目を引く。先月、米国政府は中国の華為(ファーウェイ)を牽制するために台湾の半導体企業TSMCの部品供給を事実上中断させる貿易措置を断行した。特に米国政府は“国家安保”と自国内の雇用創出を名分に、国外企業の米国現地投資拡大も水面下で圧迫している。これに対して中国と米国の立場を同時に考慮しなければならないサムスン電子が、韓国国内での投資計画を発表したのに続き、近い将来に米オースチン工場の新規投資方針も発表するとの分析もある。これに先立ち、サムスン電子のイ・ジェヨン副会長は先月、中国西安工場を訪れ予定された投資を遅滞なく進める意思を伝えている。 ソンチェ・ギョンファ記者 (お問い合わせ japan@hani.co.kr )

【関連記事】