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フラッシュメモリ

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フラッシュメモリ

フラッシュメモリ(ふらっしゅめもり・Flash Memory)は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。

Feペディア(出典:Wikipedia)

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